RZE002P02TL参数:MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: MOSFETs产品目录绘图: RUESeriesEMT-3特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.2V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.2欧姆@200mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):115pF@10V功率-最大值:150mW安装类型:表面贴装封装:SC-75,SOT-416供应商器件封装:EMT3