RZM002P02T2L参数:MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:8,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):115pF @ 10V功率 - 最大值:150mW安装类型:表面贴装封装:SOT-723供应商器件封装:VMT3