SDP8406-001参数:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1
类别:传感器,变送器-光电晶体管标准包装:1系列:-电压 - 集射极击穿(最大值):30V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-电流 - 暗 (Id)(最大值):100nA波长:880nm视角:50°功率 - 最大值:100mW安装类型:通孔,直角方向:侧视图封装:径向