SGB2233Z

SGB20N60
PDF资料下载

SGB20N60参数：IGBT NPT 600V 40A 179W TO263-3

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A
Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
功率 - 最大值：179W
Switching Energy：770µJ
输入类型：标准
Gate Charge：100nC
Td (on/off) A 25°C：36ns/225ns
Test Condition：400V, 20A, 16 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3