SGD02N120参数:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO252-3
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.6V @ 15V,2A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):9.6A功率 - 最大值:62WSwitching Energy:220µJ输入类型:标准Gate Charge:11nCTd (on/off) A 25°C:23ns/260nsTest Condition:800V, 2A, 91 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO252-3