SGD02N60参数:IGBT NPT 600V 6.0A 30W TO252-3
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,2A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6ACurrent - Collector Pulsed (Icm):12A功率 - 最大值:30WSwitching Energy:64µJ输入类型:标准Gate Charge:14nCTd (on/off) A 25°C:20ns/259nsTest Condition:400V, 2A, 118 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO252-3