SGH40N60UFDM1TU参数:IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:450系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.6V @ 15V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):160A功率 - 最大值:160WSwitching Energy:360µJ输入类型:标准Gate Charge:97nCTd (on/off) A 25°C:15ns/65nsTest Condition:300V, 20A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):42ns封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PN