SGL50N60RUFDTU参数:IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:25系列:-包装:管件IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.8V@15V,50A电流-集电极(Ic)(最大值):80ACurrent-CollectorPulsed(Icm):150A功率-最大值:250WSwitchingEnergy:2.71mJ输入类型:标准GateCharge:145nCTd(on/off)A25°C:26ns/66nsTestCondition:300V,50A,5.9欧姆,15V反向恢复时间(trr):70ns封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264