SGP5N60RUFDTU参数:IGBT W/DIODE 600V 5A
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1,000系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,5A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8ACurrent - Collector Pulsed (Icm):15A功率 - 最大值:60WSwitching Energy:195µJ输入类型:标准Gate Charge:16nCTd (on/off) A 25°C:13ns/34nsTest Condition:300V, 5A, 40 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):37ns封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220