SH8K3TB1参数:MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: xTB1SeriesSOP-8特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):24毫欧@7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):11.8nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):600pF@10V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOP