SI1011X-T1-GE3参数：MOSFET P-CHAN 12V D-S SC-89
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：480mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：640 毫欧 @ 400mA， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：62pF @ 6V功率 - 最大值：190mW安装类型：表面贴装封装：SC-89，SOT-490供应商器件封装：SC-89-3
