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SI1025X-T1

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SI1025X-T1 优势库存
VISHAY
SOT236
2023+
15352
全新进口原装现货，即时发货
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SI1025X-T1
VISHAY
SOT236
2023+
14557
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SI1025X-T1-E3
KOR
SOT-363
2023+
1048
全新进口原装现货,特价热卖
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SI1025X-T1-E3
Vishay Silicon..
SC-89（SOT-56..
2023+
500
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SI1025X-T1-GE3
Vishay Silicon..
SC-89（SOT-56..
2023+
99630
全新原装现货质量保证
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联系人：洪小姐
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SI1025X-T1-GE3
Vishay/Silicon..
SOT-563
2023+
9350
全新进口原装现货品质保证
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SI1025X-T1-E3
Vishay/Silicon..
SOT-563
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI1025X-T1-GE3
SILICONIX
原厂标准封装
2023+
1000
原装进口 优势现货 价格最..
SI1025X-T1-E3
SILICONIX
原厂标准封装
2023+
537
原装进口 优势现货 价格最..
相关型号： SI1025-B-GMR SI1025-B-GM SI1025-A-GMR SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-E3 SI1024-B-GMR

SI1025X-T1-E3
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SI1025X-T1-E3参数：MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：190mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.7nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6

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