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SI1035X-T1

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SI1035X-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT-666
2023+
6350
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SI1035X-T1
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SI1035X-T1
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2023+
6000
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SI1035X-T1-GE3
Vishay Silicon..
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2023+
8298
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SI1035X-T1-E3
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2023+
3000
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SI1035X-T1-E3
Vishay/Silicon..
SOT-563
2023+
1250
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SOT-563
2023+
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SI1035X-T1-E3
SILICONIX
原厂标准封装
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相关型号： SI1035-A-GMR SI1034X-T1-GE3 SI1034X-T1-E3 SI1034-A-GMR SI1033X-T1-GE3 SI1033X-T1-E3

SI1035X-T1-E3
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SI1035X-T1-E3参数：MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：180mA，145mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：400mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6

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