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SI1302DL

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SI1302DL-T1 优势库存
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SOT323
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SI1302DL-T1-E3 优势库存
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SOT323
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SI1302DL-T1-GE3
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SI1302DL-T1-E3
Vishay Silicon..
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SI1302DL-T1-BE3
Vishay Silicon..
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SI1302DL-T1-E3
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SI1302DL-T1
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2003
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SOT323
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SI1302DL-T1
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SI1302DL
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SOT323
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66000
品质保证,价格优惠
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SI1302DL-T1-E3
VIS
SOT23
2023+
1330
品质保证,价格优惠
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SI1302DL-T1-E3
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SC-70,SOT-323
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30350
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SI1302DL-T1-GE3
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SI1302DL-TI
SI
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SI1302DL-T1SOT323-KA
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SI1302DL-T1-E3SOT323-KAPB-FREE
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SI1302DLT1E3
vishay
3000trsmd
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SI1302DL-T1
SILICONIX
原厂标准封装
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SI1302DL-T1-E3
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VSSOP8
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SI1302DL-T1-E3
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SOT-363
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原装现货
相关型号： SI1300BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-E3 SI1143-A11-GMR SI1143-A10-GMR SI1143-A10-GM SI1142-A11-GMR

SI1302DL-T1-E3
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SI1302DL-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：600mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：280mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3

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