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SI1304DL-T1

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SI1304DL-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT323-3
2023+
168356
原装现货，价格优势
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SI1304DL-T1-E3
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SOT-323
2023+
11557
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SI1304DL-T1
VISHAY
SOT-323
2023+
13235
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SI1304DL-T1-E3
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SOT323-3
2023+
165000
品质保证,价格优惠
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SI1304DL-T1
SILICONIX
SOT-323
2023+
21000
品质保证,价格优惠
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SI1304DL-T1/K8S
SILICONIC
SOT-323
2023+
21000
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SI1304DL-T1/K8S
SILICONIX
SOT-323
2023+
23557
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SI1304DL-T1-E3
原装正品
原厂封装
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SI1304DL-T1
VISHAY
进口原装 库房现货
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SOT-363
2023+
6000
原装现货
相关型号： SI1304BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-E3 SI1303EDL-T1-E3 SI1303DL-T1-GE3 SI1303DL-T1-E3 SI1302DL-T1-GE3

SI1304BDL-T1-E3
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SI1304BDL-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：900mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 900mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 15V
功率 - 最大值：370mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3

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