SI1404BDH-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：238 毫欧 @ 1.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 15V功率 - 最大值：2.28W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
