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SI1410EDH

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SI1410EDH-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT23
2023+
6352
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SI1410EDH-T1 优势库存
VISHAY
SOT223
2023+
5852
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SI1410EDH-T1-E3
Vishay Silicon..
SC-70-6
2023+
500
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SI1410EDH-T1-E3
VISHAY
SOT23
2023+
5557
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SI1410EDH-T1
VISHAY
2023+
59557
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SI1410EDH
SI
SOT-323-6
2023+
95557
原装现货价格优势
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SI1410EDH-T1-E3
VISHAY
SOT32
2023+
3500
品质保证,价格优惠
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SI1410EDH-T1
SILICONIX
SOT363
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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SI1410EDH
VISHAY
SOT363
2023+
420
品质保证,价格优惠
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SI1410EDH-T1-E3
Vishay/Silicon..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI1410EDH-T1
SILICONIX
SOT163
2023+
14566
原装现货，假一赔十
SI1410EDH-T1-E3
VISHAY
SOT-363
2023+
6000
原装现货
SI1410EDH-T1-E3
VISHAY
SOT32
2023+
13520
原装正品现货
相关型号： SI1406DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-E3 SI1405DL-T1-GE3 SI1405DL-T1-E3 SI1405BDH-T1-GE3 SI1405BDH-T1-E3

SI1410EDH-T1-E3
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SI1410EDH-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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