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SI1417EDH

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SI1417EDH-T1-E3 优势库存
VISHAY
SC70-6
2023+
7852
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SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Silicon..
SC-70-6
2023+
500
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SI1417EDH-T1-E3
Vishay Silicon..
SC-70-6
2023+
500
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SI1417EDH-T1
SI
SOT23-6
2023+
4357
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SI1417EDH
VISHAY
SOT-363
2023+
20557
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SI1417EDH-T1
VISHAY
SOT-363
2023+
48000
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SI1417EDH
VISHAY
SOT363
2023+
5100
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SI1417EDH-T1-GE3
Vishay/Silicon..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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SI1417EDH-T1-E3
Vishay/Silicon..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
78350
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VISHAY
363
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SI1417EDH-T1-E3
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SI1417EDH-T1-E3参数：MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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