SI1419DH-T1-E3参数：MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：300mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 400mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
