SI1442DH-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 12V D-S SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1010pF @ 6V功率 - 最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
