SI1488DH-T1-GE3参数:MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 4.6A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.01nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):530pF @ 10V功率 - 最大值:2.8W安装类型:表面贴装封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装:SC-70-6