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SI1499DH

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SI1499DH-T1-BE3
Vishay Silicon..
SC-70-6
2023+
500
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Vishay Silicon..
SC-70-6
2023+
18269
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2023+
2885
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Vishay/Silicon..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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2023+
13456
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VISHAY
SOT-363
2023+
61278
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VISHAY
SOT-363
2023+
442278
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SI1499DH-T1-E3
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SI1499DH-T1-E3参数：MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：78毫欧@2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：650pF@4V
功率-最大值：2.78W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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