SI1912EDH-T1-E3

SI1912EDH-T1-E3
PDF资料下载

SI1912EDH-T1-E3参数：MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：280 毫欧 @ 1.13A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：570mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6