SI1965DH-T1-GE3参数：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：390 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.2nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 6V功率 - 最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
