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SI2300

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SI2300 优势库存
SOT23
2023+
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原装现货质量保证
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SI2300DS 优势库存
VISHAY
SOT-23
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原装现货，价格优势
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SI2300-TP
Micro Commerci..
SOT-23
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SI2300DS-T1-GE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
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SI2300DS-T1-BE3
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2023+
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全新原装进口现货品质保证
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SI2300A
UMW
SOT-23
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3500
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SI2300DS
Sipu
SOT-23
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SI2300BDS-T1-E3
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SOT23-3
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SI2300
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SI2300DS
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品质保证,价格优惠
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SI2300DS-T1-GE3
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TO-236-3,SC-..
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SI2300DS-T1
VISHAY
SOT23
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301278
全新进口原装现货,保证质量
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SI2300DS-T1-E3
VISHAY
QR
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SI2300
CJ
2023+
3000
全新原装
相关型号： SI2196-A-EVB SI2196-A10-GMR SI2196-A10-GM SI2185-A-EVB SI2185-A10-GMR SI2185-A10-GM

SI2300DS-T1-GE3
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SI2300DS-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：320pF @ 15V
功率 - 最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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