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SI2301BDS-T1-E3

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相关型号： SI2300DS-T1-GE3 SI2196-A-EVB SI2196-A10-GMR SI2196-A10-GM SI2185-A-EVB SI2185-A10-GMR

SI2301BDS-T1-E3
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SI2301BDS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：375pF @ 6V
功率 - 最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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