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SI2307DS

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SI2307DS-T1-E3 优势库存

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SI2307DS-T1 优势库存

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SI2307DS-T1

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SI2307DS-T1-E3

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SOT-23

2023+

4929

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SI2307DS-TI

SI

SOT-23-5

2023+

673

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SI2307DS-T1-E3

VISHAY

SOT23-3

2023+

700

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SI2307DS-T1

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SOP23

2023+

1127

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SI2307DS-T1/7STB

SILICONIC

SOT-23

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21000

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SI2307DS-T1/7RSM

SILICNIX

SOT-23

2023+

2460

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SI2307DS

VISHAY

SOT23

2023+

2800

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SI2307DSSOT23

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2636

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SI2307DS-T1/7RSM

SILICONIC

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SI2307DS-T1(A7WAF)

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7278

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SI2307DS-T1/7STB

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SI2307DS-T1-E3

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5668

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原装现货

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SI2307BDS-T1-E3
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SI2307BDS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 15V
功率 - 最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）