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SI2312

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SI2312DS 优势库存
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SI2312CDS-T1-GE3
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SI2312BDS-T1-E3
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SI2312CDS-T1-GE3
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SI2312BDS-T1-GE3
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SI2312BDS
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SI2312-T1
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SI2312DV-T1
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SI2312DST1E3
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SI2312DS-T1/C2T0D
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工厂配单，价格优势
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SI2312DS-T1-E3
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一级代理/全新原装现货/长..
SI2312CDS-T1-GE3
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一级代理/全新原装现货/长..
SI2312BDS-T1-GE3
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一级代理/全新原装现货/长..
SI2312DS-T1
SILICONIX
原厂标准封装
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原装进口 优势现货 价格最..
SI2312BDS-T1-GE3
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1277
全新原装公司、柜台现货特价..
SI2312DV-T1
SIL
进口原装 库房现货
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SI2312DS-T1-E3
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SI23120
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QFN20
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SI2312DS-T1-E3
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原装现货
SI2312BDS-T1-E3
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SOT-23
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原装现货
相关型号： SI2311DS-T1-GE3 SI2311DS-T1-E3 SI2309DS-T1-E3 SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-E3 SI2308DS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3
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SI2312BDS-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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