SI2313DS-T1

SI2311DS-T1-E3
PDF资料下载

SI2311DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：970pF @ 4V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3