SI2319DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：82 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：470pF @ 20V功率 - 最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
