SI2333DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 5.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 6V功率 - 最大值：750mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
