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SI3443DV-T1

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SI3443DV-T1-E3 优势库存
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SI3443DV-T1-E3
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SI3443DV-T1
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SI3443DV-T1
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SOT23-6
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SI3443DV-T1/43
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19000
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SI3443DV-T1-E3
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9000
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SI3443DV-T1/432AA
FAIRCHILD
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2023+
12000
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SI3443DV-T14.4A/30V
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3000
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SI3443DV-T14.4A/30V
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SI3443DV-T1/43
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SI3443DV-T1(43GA5)
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1778
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SI3443DV-T1
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SI3443DV-T1-E3
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原装正品现货
相关型号： SI3443DV SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-GE3 SI3443BDV-T1-E3 SI3442DV

SI3443DV
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SI3443DV参数：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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