SI3443DV参数：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
