SI3477DV-T1-GE3参数：MOSFET P-CH D-S 12V 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17.5 毫欧 @ 9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 6V功率 - 最大值：4.2W安装类型：表面贴装封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）供应商器件封装：6-TSOP
