SI4435DY-T1-REVA

SI4435DY
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SI4435DY参数：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2320pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO