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SI4435DYTR

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SI4435DYTRPBF 优势库存
IR
SO-8
2023+
13356
原装现货，价格优势
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SI4435DYTRPBF
Infineon Techn..
8-SO
2023+
17332
全新原装进口现货品质保证
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8-SO
2023+
500
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SI4435DYTRPBF
IOR
39mm-8P
2023+
5893
全新原装现货,随时发货
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SI4435DYTR
IRF
3.9
2023+
15161
全新进口原装现货,特价热卖
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SI4435DYTR
InternationalR..
8-SOIC（3.9mm）
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI4435DYTRPBF
InternationalR..
8-SOIC(0.154..
2023+
59350
全新进口原装现货品质保证
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2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI4435DYTRBF
IR
SOP8
2023+
1678
工厂配单，价格优势
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SI4435DYTRPBF
IR
SOIC-8
2023+
26000
晶体管
SI4435DYTR
SI
库房现货原装进口
2023+
5600
SI4435DYTRPBF
IR
全新原装现货
2023+
4500
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SOP8
2023+
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低价格.高品质.服务好.现..
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SI4435DYTR
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SI4435DYTR参数：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2320pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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