SI4511DY-T1-E3

SI4511DY-T1-E3
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SI4511DY-T1-E3参数：MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.2A，4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N