SI4511DY-T1-GE3参数:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.2A,4.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 9.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC N