SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3
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SI4866BDY-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.3 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5020pF @ 6V
功率 - 最大值：4.45W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N