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SI4880

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SI4880EY-T1-E3 优势库存
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SOP8
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SOP8P
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2741
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SI4880DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
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500
全新原装进口现货品质保证
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SI4880DY-T1-E3
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SI4880
SIEMEWS
3
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SI4880DY
VISHAY
5
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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SI4880DY-T1
SILICONIX
99
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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SI4880DY
SI
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品质保证,价格优惠
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SI4880
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2023+
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品质保证,价格优惠
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SI4880DY-T1-GE3
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SI4880DY-T1-E3
Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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SI4880DY-T1
VISHAY
进口原装 库房现货
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5600
SI4880DY
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库房现货原装进口
2023+
5600
SI4880
SI
库房现货原装进口
2023+
5600
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SI4880DY-T1-E3
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SI4880DY-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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