SI4906DY-T1-GE3参数:MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:2,500系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):625pF @ 20V功率 - 最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC N