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SI4966

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SI4966DY-T1-E3 优势库存
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SI4966DY-T1 优势库存
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SI4966DY-T1-E3
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SI4966DY-T1-E3
Vishay Silicon..
8-SOIC
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全新原装现货质量保证
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品质保证,价格优惠
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品质保证,价格优惠
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8-SOIC(0.154..
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工厂配单，价格优势
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工厂配单，价格优势
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2023+
939
全新原装公司、柜台现货特价..
SI4966DY
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库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SI4965DY-T1-GE3 SI4965DY-T1-E3 SI4963BDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-E3 SI4953ADY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3
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SI4966DY-T1-E3参数：MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 7.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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