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SI543

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一级代理/全新原装现货/长..
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相关型号： SI5429DU-T1-GE3 SI5424DC-T1-GE3 SI5424DC-T1-E3 SI5419DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 SI5415EDU-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3
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SI5432DC-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 10V
功率 - 最大值：6.3W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：1206-8 ChipFET?

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