SI5432DC-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 10V功率 - 最大值：6.3W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：1206-8 ChipFET?
