SI5519DU-T1-GE3参数:MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A,4.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 6.1A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):660pF @ 10V功率 - 最大值:2.27W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? CHIPFET? 双供应商器件封装:PowerPAK? ChipFet 双