SI5857DU-T1-E3参数:MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:二极管(隔离式)漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):58 毫欧 @ 3.6A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 10V功率 - 最大值:10.4W安装类型:表面贴装封装:PowerPAK? CHIPFET? 双供应商器件封装:PowerPAK? ChipFet 双