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SI5902DC

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SI5902DC-T1 优势库存
SILICONIX
2023+
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SI5902DC-T1-E3 优势库存
VISHAY
MLP-8
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SI5902DC
SI
SOT-323-6
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SI5902DC-T1-E3
VISHAY
MLP-8
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SI5902DC-T1
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SOT23-8
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SI5902DC
VISHAY
MLP-8
2023+
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SI5902DC-T1-E3
Vishay/Silicon..
1206-8ChipFE..
2023+
12000
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SI5902DC-T1-E3
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相关型号： SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-E3 SI5858DU-T1-GE3 SI5858DU-T1-E3 SI5857DU-T1-GE3 SI5857DU-T1-E3

SI5902DC-T1-E3
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SI5902DC-T1-E3参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5 nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：1206-8 ChipFET?

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