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SI5915DC-T1

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SI5915DC-T1-E3 优势库存
VISHAY
TSSOP8
2023+
24350
全新原厂原装现货
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SI5915DC-T1 优势库存
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SOT-23-8
2023+
15352
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SI5915DC-T1
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SOT-363
2023+
77557
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SI5915DC-T1-E3
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MLP-8
2023+
10766
全新进口原装现货,保证质量
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SI5915DC-T1
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MICRO1206-8
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI5915DC-T1-E3
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TSSOP8
2023+
21000
品质保证,价格优惠
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SI5915DC-T1-GE3
Vishay Silicon..
1206-8 ChipF..
2023+
500
全新原装现货质量保证
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SI5915DC-T1-GE3
Vishay/Silicon..
1206-8ChipFE..
2023+
1250
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SI5915DC-T1-E3
Vishay/Silicon..
1206-8ChipFE..
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SI5915DC-T1-E3
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SI5915DC-T1-E3参数：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：8V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：1206-8 ChipFET?

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