SI5975DC

SI5975DC-T1-E3
PDF资料下载

SI5975DC-T1-E3参数：MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：86 毫欧 @ 3.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：1206-8 ChipFET?