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SI6433

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SI6433DQ-TBB 优势库存
SILICONIX
TSSOP8
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SI6433BDQ 优势库存
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SI6433DQ 优势库存
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SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-TSSOP
2023+
500
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SI6433BDQ-T1-E3
Vishay Silicon..
8-TSSOP
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SI6433DQ-T2
VISHAY
SOP-8
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81278
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SI6433DQ-T1-E3
VISHAY
04PB
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SI6433DQ-T1
SILICONIX
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SI6433DQ
SI
SOP-8
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SI6433BDQ-T1-E3
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TSSOP-8
2023+
10278
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SI6433
2023+
4557
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SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay/Silicon..
8-TSSOP
2023+
6000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
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SI6433BDQ-T1-GE3
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2023+
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8-TSSOP（0.17..
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SI6433BDQ
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5
2023+
155
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SI6433DQ-TI
SI
TSSOP-8P
2023+
7217
工厂配单，价格优势
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电话：0755-83217923
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SI6433BDQ-T1-GE3
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2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
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SI6433DQ
SI
全新原装现货
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3000
SI6433DQ-T1
SILI
MSOP/8
2023+
14566
原装现货，假一赔十
相关型号： SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-E3 SI6413DQ-T1-GE3 SI6413DQ-T1-E3

SI6433BDQ-T1-E3
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SI6433BDQ-T1-E3参数：MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.05W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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